SJ 20011-1992 半导体分立器件 GP、GT和GCT级CS1型硅N沟道耗尽型场效应晶体管详细规范
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基本信息
标准名称: | 半导体分立器件 GP、GT和GCT级CS1型硅N沟道耗尽型场效应晶体管详细规范 |
英文名称: | Semiconductor discrete device-Detail specification for silicon N-channel deplition mode field-effect transistor of Type CS1 GP,GT and GCT classes |
中标分类: | 综合 >> 标准化管理与一般规定 >> 技术管理 |
发布部门: | 中国电子工业总公司 |
发布日期: | 1992-02-01 |
实施日期: | 1992-05-01 |
首发日期: | 1900-01-01 |
作废日期: | 1900-01-01 |
提出单位: | 中国电子工业总公司科技质量局 |
归口单位: | 中国电子技术标准化研究所 |
起草单位: | 中国电子技术标准化研究所 |
起草人: | 王长福、吴志龙、张宗国、刘美英 |
出版社: | 电子工业出版社 |
出版日期: | 1992-04-01 |
页数: | 11页 |
适用范围
本标准规定了CS1型硅沟道结型场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求该种器件按GJB33-85《半导体分立器件总规范》的规定提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。
前言
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目录
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引用标准
GB 4586-1984 场效应晶体管测试方法
GB 7581-1987 半导体分立器件外形尺寸
GJB 33-1985 半导体分立器件总规范
GJB 128-1986 半导体分立器件试验方法
所属分类: 综合 标准化管理与一般规定 技术管理
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